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IPD20N03L 20N03L INF 质量保证 现货量大价优
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,IPD20N03L 20N03L INF 质量保证 现货量大价优

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  • 所 在 地: 广东 深圳市 福田区
  • 发布日期: 2015年11月16日
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品牌INF型号IPD20N03L
封装TO252极限电压30V
极限电流30A沟道类型N沟道
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)30A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)20 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2V @ 25μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)19nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)695pF @ 25V
功率 - 最大值42W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装PG-TO252-3
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