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12A、650V N沟道增强型场效应管 SVF12N65T
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,12A、650V N沟道增强型场效应管 SVF12N65T

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  • 发布日期: 2016年01月11日
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类型增强型场效应管品牌SL
12A、650V N沟道增强型场效应管

描述:

SVF12N65T/F/FG/K/S  N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。

先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。 

该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PWM马达驱动

 

特点:

12A,650V,RDS(on)(典型值)=0.64?@VGS=10V ?低栅极电荷量?低反向传输电容?开关速度快  ?提升了dv/dt 能力
12A,650V,RDS(on)(典型值)=0.64?@VGS=10V ? 

低栅极电荷量 ? 

低反向传输电容 ? 

开关速度快  ? 

提升了dv/dt 能力 




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