PN8126F是一颗超低待机功耗高效率交直流转换芯片

PN8126F芯片内部集成了脉宽调制控制器和高雪崩能力的功率MOSFET，适用于小功率非隔离开关电源。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过流保护，过压保护，欠压保护，过温保护；降频调制技术有助于改善EMI特性。该芯片还内置高压启动模块，保证系统能迅速启动。应用系统的外围元件更加简洁。

PN8126特征 ：
优化适用于18V输出非隔离应用
满足85~265V宽AC输入工作电压
改善EMI的降频调制技术
内置高压启动电路
开放式输出功率 >8W @230VAC
优异的负载调整率和工作效率

全面的保护功能
过流保护（OCP）
过温保护（OTP）
过压保护（OVP）

PN8126功能描述：

1. 启动
在启动阶段，内部高压启动管提供1.2mA电流对外部VDD电容进行充电。当VDD电压达到12.5V，芯片开始工作；高压启动管停止对VDD电容充电。启动过程结束后，变压器辅助绕组对VDD电容提供能量。
2. 输出驱动
PN8126F采用特有的驱动技术。驱动能力太弱会使得较高的开关损耗，驱动太强则容易出现EMI问题。PN8126F采用优化的图腾柱结构，通过合理的输出驱动能力以及死区时间，得到较好的EMI特性和较低的损耗。
3. 振荡器
PN8126F的最大振荡频率为60 kHz，无需外围电路进行设置。它含有特有的频率抖动技术，可以改善EMI特性。
4. 内置误差放大器
PN8126F片内误差放大器可实现输出电压调制。通过内部电阻分压器，利用误差放大器检测VDD电位可实现输出电压调制。
5. PFM工作模式
PN8126F工作在PFM模式以减小轻载功耗。当负载减轻，频率降低，较低的开关频率有利于降低开关损耗。
6. 输出恒压调制
PN8126F提供负载补偿功能，可实现良好的负载调制。
7. 过温保护
功率MOSFET和控制芯片集成在一起，使得控制电路更易于检测MOSFET的温度。当温度超过160℃，芯片进入过温保护状态。

公司简介：

深圳市博森伟业电子

是一家专业的.net.cn/pro/index478.html" title="" target="_blank" style="line-height: 19px; font-size: 18px; font-family: tahoma, arial, 宋体, sans-serif;">电子元器件经销商，品种主要以民用级和工业级为主。公司自成立以来，一贯以服务诚恳、薄利多销为经营理念，凭着优良的品质、实惠的价格、周到的服务，在行业中树立了良好的口碑。      

     公司货源稳定，在香港、新加坡等地都拥有稳定的直接代理进货渠道，可为本地和外省市地区生产厂家提供全单配套服务，公司目前自备现货和大量库存，及时解决用户们找样品、小批量、偏冷门、停产货及其它元件配套的采购难题。       

      我们专注于客户的需求与期望，帮助客户缩短产品采购周期，减少库存，降低成本，助你一站式轻松采购，愿携手广大客户共创辉煌。

联系方式