29EE020 概述如下：

该SST29EE / LE / VE020是256K ×8 CMOS页写EEPROM制造与SST专有的，高性formance CMOS SuperFlash技术。 

分裂栅单元设计和厚氧化层隧穿注入器可实现更好的可靠性和可制造性与替代比较的方法。 该SST29EE / LE / VE020写入与单个电源。 

内部擦除/编程是透明的用户。 

该SST29EE / LE / VE020符合JEDEC标准引脚为字节宽的回忆。

拥有高性能的页面写的SST29EE / LE /VE020提供39微秒典型的字节写入时间。 

该整个存储器，即256千字节，可以被写入页逐在短短的10秒后，使用界面为特色的，当页面Tures的，如翻转位或数据＃投票指示一个写周期的完成。 

为了防止意外写的SST29EE / LE / VE020提供了片上硬件和软件数据保护方案。 

设计，制造捕获的原始图像，并测试了广泛的应用中，光谱SST29EE / LE / VE020提供有保证的页面 -写10,000次的耐力。

数据保留的额定功率为超过100年以上。 

该SST29EE / LE / VE020适合于应用需要程序方便和经济的升级，配置或数据存储器。 

对于所有系统应用，在SST29EE / LE / VE020显著改善性能和可靠性，同时降低功耗。 

该SST29EE / LE / VE020提高灵活性，同时降低了成本为程序，数据和配置存储应用系统蒸发散。 为了满足高密度的表面安装的要求，SST29EE / LE / VE020提供32引脚PLCC和32引脚TSOP封装。 

A 600密耳， 32引脚PDIP封装也可提供。