2A、650V N沟道增强型场效应管
描述: SVF2N60M/MJ/N/F/T/D N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用SL的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源,DC-DC 电源转换器,高压 H 桥 PWM 马达驱动。
特点:
?提升了 dv/dt 能力
?开关速度快
?低反向传输电容
?低栅极电荷量
?2A,650V,RDS(on)(典型值)=3.7Ω@VGS=10V