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SI7143DP-T1-GE3 原装正品~深圳市栢利世纪电子有限公司~~~
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  • 发布日期: 2017年02月13日
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型号SI7143DP-T1-GE3厂家VISHAY
批号16+封装QFN-8
 
数据列表
其它名称SI7143DP-T1-GE3TR
SI7143DPT1GE3

规格
FET 类型P 沟道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss)30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)35A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.8V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)71nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)2230pF @ 15V
Vgs(最大值)±20V
FET 功能-
功率耗散(最大值)4.2W(Ta),35.7W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)10 毫欧 @ 16.1A,10V
工作温度-50°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装
供应商器件封装PowerPAK? SO-8
封装/外壳

PowerPAK? SO-8本公司是一家提供电子元器件现货服务的专业性公司,拥有一个相当完备的全球采购系统,具有强大的现货供应能力。公司目前主要通过代理、经销国内外高品质的半导体IC元器件及专用芯片作为公司的核心发展方向, 公司自始至终把关注客户价值和满足客户需求放在第一位,努力为我们的客户提供最优质、廉价、全面、快捷、安全的供货渠道。通过降低客户的经营成本,提供满足客户需要的优质产品和及时有效的技术支持与服务,来满足客户更多的需求。真诚欢迎海内外用户前来洽谈合作,共谋发展和建立长期的合作关系!
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