型号 | AON6526 | 厂家 | AOS |
批号 | 16+ | 封装 | DFN5*6 |
规格 FET 类型 | N 沟道 |
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技术 | MOSFET(金属氧化物) |
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漏源极电压(Vdss) | 30V |
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电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 24A(Ta),32A(Tc) |
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.2V @ 250μA |
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不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 33nC @ 10V |
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 1229pF @ 15V |
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FET 功能 | - |
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功率耗散(最大值) | 6W(Ta),25W(Tc) |
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不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) | 7 毫欧 @ 20A,10V |
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工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
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安装类型 | 表面贴装 |
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供应商器件封装 | 8-DFN(5x6) |
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封装/外壳 | 8-PowerSMD,扁平引线 |
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