型号 | SI5903DC-T1-E3 | 厂家 | VISHAY |
批号 | 16+ | 封装 | 1206-8 |
数据列表 | |
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其它名称 | SI5903DC-T1-E3TR SI5903DCT1E3
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规格 FET 类型 | 2 个 P 沟道(双) |
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FET 功能 | 逻辑电平门 |
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漏源极电压(Vdss) | 20V |
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电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 2.1A |
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不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) | 155 毫欧 @ 2.1A,4.5V |
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 600mV @ 250μA(最小) |
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不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 6nC @ 4.5V |
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | - |
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功率 - 最大值 | 1.1W |
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工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
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安装类型 | 表面贴装 |
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封装/外壳 | 8-SMD,扁平引线 |
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供应商器件封装 | 1206-8 ChipFET? |
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