零件编号 SSM6K202FELFTR-ND
制造商
Toshiba SemIConductor and Storage
制造商零件编号
SSM6K202FE,LF
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
系列 -
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.8V，4V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） -
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 270pF @ 10V Vgs（最大值） ±12V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 500mW（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 85 毫欧 @ 1.5A，4V
工作温度 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 ES6（1.6x1.6）
封装/外壳 SOT-563，SOT-666
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