零件编号 IRF7809AV-ND
制造商 Infineon Technologies
制造商零件编号 IRF7809AV
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
?湿气敏感性等级 (MSL)
一般信息
数据列表 IRF7809AV;
标准包装 95
包装 管件
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列 HEXFET?
其它名称 *IRF7809AV
规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 13.3A(Ta)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 62nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3780pF @ 16V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 9 毫欧 @ 15A,4.5V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 8-SO
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
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