零件编号 SI4848DY-T1-E3TR-ND
检查提前期
制造商
Vishay SilIConix
制造商零件编号
SI4848DY-T1-E3
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET?
包装 ? 带卷(TR) ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.7A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA(最小)
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 21nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - Vgs(最大值) ±20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 1.5W(Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 85 毫欧 @ 3.5A,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 8-SO
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
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