Digi-Key 零件编号 SIR172DP-T1-GE3TR-ND
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制造商
Vishay SilIConix
制造商零件编号
SIR172DP-T1-GE3
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET?
包装 ? 带卷(TR) ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 30nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 997pF @ 15V Vgs(最大值) ±20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 3.9W(Ta),29.8W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 8.9 毫欧 @ 16.1A,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 PowerPAK? SO-8
封装/外壳 PowerPAK? SO-8
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