制造商
Fairchild/ON SemIConductor 
 
制造商零件编号
FQA6N90C_F109 

类别  分立半导体产品   
晶体管 - FET，MOSFET - 单   

制造商Fairchild/ON Semiconductor 

系列QFET?  

包装 ? 管件 ?  

FET 类型 N 沟道  

技术 MOSFET（金属氧化物）  

漏源电压（Vdss） 900V  

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A（Tc）  

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250μA  

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 40nC @ 10V  

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1770pF @ 25V  

Vgs（最大值） ±30V  

FET 功能 -  

功率耗散（最大值） 198W（Tc）  

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 2.3 欧姆 @ 3A，10V  

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  

安装类型 通孔  

供应商器件封装 TO-3PN  

封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3 

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