制造商
Infineon Technologies 
 
制造商零件编号
IRLMS5703TRPBF 

类别  分立半导体产品   
晶体管 - FET，MOSFET - 单   

制造商Infineon Technologies 

系列HEXFET?  

包装 ? 带卷（TR） ?  

FET 类型 P 沟道  

技术 MOSFET（金属氧化物）  

漏源电压（Vdss） 30V  

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.4A（Ta）  

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V  

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA  

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 11nC @ 10V  

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 170pF @ 25V  

Vgs（最大值） ±20V
 
FET 功能 -  

功率耗散（最大值） 1.7W（Ta）  

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 180 毫欧 @ 1.6A，10V  

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  

安装类型 表面贴装  

供应商器件封装 MICro6?（TSOP-6）  

封装/外壳 SOT-23-6 

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