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以下是，IPD65R250E6 N沟道 MOSFET 16A Vds=700V 3引脚 DPAK (TO-252)封装，品牌:Infineon 型号:IPD65R250E6 封装:TO-252 极限电压:700 V 极限电流:16 A 类型:绝缘栅型场效应管 沟道类型:N沟道 ，请点击“询价”
-IPD65R250E6 N沟道 MOSFET 16A Vds=700V 3引脚 DPAK (TO-252)封装 品牌:Infineon 型号:IPD65R250E6 封装:TO-252 极限电压:700 V 极限电流:16 A 类型:绝缘栅型场效应管 沟道类型:N沟道-买卖IC网
IPD65R250E6 N沟道 MOSFET 16A Vds=700V 3引脚 DPAK (TO-252)封装
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，IPD65R250E6 N沟道 MOSFET 16A Vds=700V 3引脚 DPAK (TO-252)封装

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  • 所 在 地： 广东 深圳市 福田区
  • 发布日期： 2017年11月04日
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品牌Infineon型号IPD65R250E6
封装TO-252极限电压700
极限电流16类型绝缘栅型场效应管
沟道类型N沟道  
深圳市鑫弘瑞电子有限公司是专业IC方案服务商，经营品种齐全，产品广泛应用于电源、通信、数码、汽车、医疗、工、民用电子等设备。我们秉承互惠互利、共发展的原则，热忱欢迎国内外经销商、厂商前来洽谈合作，共谋发展！联系方式：0755-82764860、18927434041，QQ：183818172 / 3044067800 蔡经理！



制造商

Infineon Technologie

制造商零件编号

IPD65R250E6XTMA1

描述

MOSFET N-CH TO252-3

对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
?湿气敏感性等级 （MSL）1（无限）

一般信息

标准包装  2,500
类别分立半导体产品
产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列CoolMOS? E6

规格
FET 类型N 沟道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）16.1A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）3.5V @ 400μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）45nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）950pF @ 1000V
Vgs（最大值）±20V
FET 功能-
功率耗散（最大值）208W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）250 毫欧 @ 4.4A，10V
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装
供应商器件封装PG-TO252-3
封装/外壳TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63


产品实拍图：

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以上是，IPD65R250E6 N沟道 MOSFET 16A Vds=700V 3引脚 DPAK (TO-252)封装，品牌:Infineon 型号:IPD65R250E6 封装:TO-252 极限电压:700 V 极限电流:16 A 类型:绝缘栅型场效应管 沟道类型:N沟道的信息
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