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以下是，Infineon CoolMOS CP系列 Si N沟道 MOSFET IPW60R045CP 60A Vds=650V TO-247封装，品牌:Infineon 型号:IPW60R045CP 封装:TO-247 类型:绝缘栅型场效应管 沟道类型:N沟道 ，请点击“询价”
-Infineon CoolMOS CP系列 Si N沟道 MOSFET IPW60R045CP 60A Vds=650V TO-247封装 品牌:Infineon 型号:IPW60R045CP 封装:TO-247 类型:绝缘栅型场效应管 沟道类型:N沟道-买卖IC网
Infineon CoolMOS CP系列 Si N沟道 MOSFET IPW60R045CP 60A Vds=650V TO-247封装
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，Infineon CoolMOS CP系列 Si N沟道 MOSFET IPW60R045CP 60A Vds=650V TO-247封装

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  • 所 在 地： 广东 深圳市 福田区
  • 发布日期： 2017年11月21日
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  • 地址：华强北街道华强电子世界2号楼4楼23C255
品牌Infineon型号IPW60R045CP
封装TO-247类型绝缘栅型场效应管
沟道类型N沟道  
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产品技术参数

制造商

Infineon Technologie

制造商零件编号

IPW60R045CP

描述

MOSFET N-CH 650V 60A TO-247

对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
?湿气敏感性等级 （MSL）1（无限）


一般信息
标准包装  240
类别分立半导体产品
产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列CoolMOS??

规格
FET 类型N 沟道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）3.5V @ 3mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）190nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）6800pF @ 100V
Vgs（最大值）±20V
FET 功能-
功率耗散（最大值）431W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）45 毫欧 @ 44A，10V
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型通孔
供应商器件封装PG-TO247-3
封装/外壳TO-247-3



产品实拍图：

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