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以下是，IRF系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRLU3410 17A 100V 3引脚 IPAK（TO-251）封装，品牌:IRF 型号:IRLU3410 封装:TO-251 类型:绝缘栅型场效应管 沟道类型:N沟道 ，请点击“询价”
-IRF系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRLU3410 17A 100V 3引脚 IPAK（TO-251）封装 品牌:IRF 型号:IRLU3410 封装:TO-251 类型:绝缘栅型场效应管 沟道类型:N沟道-买卖IC网
IRF系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRLU3410 17A 100V 3引脚 IPAK（TO-251）封装
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，IRF系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRLU3410 17A 100V 3引脚 IPAK（TO-251）封装

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  • 所 在 地： 广东 深圳市 福田区
  • 发布日期： 2017年12月05日
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  • 地址：华强北街道华强电子世界2号楼4楼23C255
品牌IRF型号IRLU3410
封装TO-251类型绝缘栅型场效应管
沟道类型N沟道  
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产品技术参数：


制造商

Infineon Technologies

制造商零件编号

IRLU3410PBF

描述

MOSFET N-CH 100V 17A I-PAK

对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级 （MSL）1（无限）


一般信息

标准包装  75
包装  管件
类别分立半导体产品
产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列HEXFET


规格

FET 类型P 沟道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）55V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）31A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）63nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）1200pF @ 25V
Vgs（最大值）±20V
FET 功能-
功率耗散（最大值）110W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）65 毫欧 @ 16A，10V
工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型表面贴装
供应商器件封装D-Pak
封装/外壳TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63






产品实拍图：



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