Digi-Key 零件编号 FQB3N40TM-ND
制造商
ON SemIConductor
制造商零件编号
FQB3N40TM
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 ON Semiconductor
系列 QFET?
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 停產
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 400V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 7.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 230pF @ 25V Vgs（最大值） ±30V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 3.13W（Ta），55W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 3.4 欧姆 @ 1.25A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 D2PAK（TO-263AB）
封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
12月13日，第二届国际机器人检测认证高峰论坛在渝召开，机器人及机电一体化技术专家、中国工程院院士蔡鹤皋在论坛开幕致辞中表达了检测认证对机器人产业发展的重要性。其实，对中国机器人产业发展，蔡鹤皋看得很深，他提出了三个关键点，是北、上、广、深等掀起机器人产业热潮的城市都回避不了的问题。
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