Digi-Key 零件编号 FQP9N90CFS-ND
检查提前期
制造商
ON SemIConductor
制造商零件编号
FQP9N90C
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商 ON Semiconductor
系列 QFET?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 900V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 58nC @ 10V
Vgs(最大值) ±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2730pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 205W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 1.4 欧姆 @ 4A,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220AB
封装/外壳 TO-220-3
在持续收到厂商投诉之后,监管机构开始关注已经持续涨价6个季度、并且明年一季度仍会继续涨价的存储芯片。12月21日,多位知情人士告诉21世纪经济报道记者,“发改委已经就此问题约谈三星。”不过,目前并不确定是否会发起反垄断审查。
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