制造商
STMICroelectronics
制造商零件编号
STP25NM60ND
描述 MOSFET N-CH 600V 21A TO-220
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 40 周
详细描述 通孔 N 沟道 600V 21A(Tc) 160W(Tc) TO-220AB类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商 STMicroelectronics
系列 FDmesh?? II
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 21A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 80nC @ 10V
Vgs(最大值) ±25V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 50V FET 功能 -
功率耗散(最大值) 160W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 160 毫欧 @ 10.5A,10V
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220AB
封装/外壳 TO-220-3
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