制造商
MICrosemi Corporation
制造商零件编号
APT20M38SVRG
描述 MOSFET N-CH 200V 67A D3PAK
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
制造商标准提前期 25 周
详细描述 表面贴装 N 沟道 200V 67A（Tc） 370W（Tc） D3 [S]
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Microsemi Corporation
系列 POWER MOS V?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 67A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 225nC @ 10V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6120pF @ 25V FET 功能 -
功率耗散（最大值） 370W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 38 毫欧 @ 500mA，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 D3 [S]
封装/外壳 TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA
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