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SDRAM- MT41K256M16HA-125 AIT:E 存储器
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  • 发布日期: 2018年04月02日
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类型存储器  
MT41K256M16HA-125 AIT:E 介绍;

描述 IC SDRAM 4GBIT 800MHZ 96FBGA

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL) 3(168 小时)

详细描述 SDRAM - DDR3L 存储器 IC 4Gb (256M x 16) 并联 800MHz 13.75ns 96-FBGA(9x14)

类别 集成电路(IC)

存储器

制造商 Micron Technology Inc.

系列 -

包装 ? 托盘 ?

零件状态 停產

存储器类型 易失

存储器格式 DRAM

技术 SDRAM - DDR3L

存储容量 4Gb (256M x 16)

时钟频率 800MHz

写周期时间 - 字,页 -

访问时间 13.75ns

存储器接口 并联

电压 - 电源 1.283 V ~ 1.45 V

工作温度 -40°C ~ 95°C(TC)

安装类型 表面贴装

封装/外壳 96-TFBGA

供应商器件封装 96-FBGA(9x14)

基本零件编号 MT41K256M16

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以存储体(大量存储单元组成的阵列)为核心,加上必要的地址译码、读写控制电路,即为存储集成电路;再加上必要的I/O接口和一些额外的电路如存取策略管理,则形成存储芯片,比如手机中常用的存储芯片。得益于新的IC制造或芯片封装工艺,现在已经有能力把DRAM和FLASH存储单元集成在单芯片里。存储芯片再与控制芯片(负责复杂的存取控制、存储管理、加密、与其他器件的配合等)及时钟、电源等必要的组件集成在电路板上构成整机,就是一个存储产品,如U盘。从存储单元(晶体管阵列)到存储集成电路再到存储设备,都是为了实现信息的存储,区别是层次的不同。  
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