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存储器MT40A512M8RH-075E AIT:B DRAM
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  • 发布日期: 2018年04月12日
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类型集成电路(IC)  
MT40A512M8RH-075E AIT:B介绍:
类别 集成电路(IC)
存储器
制造商 Micron Technology Inc.
系列 -
包装 ? 带卷(TR) ?
零件状态 在售
存储器类型 易失
存储器格式 DRAM
技术 SDRAM - DDR4
存储容量 4Gb (512M x 8)
时钟频率 1.33GHz
写周期时间 - 字,页 -
存储器接口 并联
电压 - 电源 1.14 V ~ 1.26 V
工作温度 -40°C ~ 95°C(TC)
安装类型 表面贴装
封装/外壳 78-TFBGA
供应商器件封装 78-FBGA(9x10.5)
DRAM(Dynamic Random Access Memory),即动态随机存取存储器,最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据,DRAM使用电容存储,所以必须隔一段时间刷新(refresh)一次,如果存储单元没有被刷新,存储的信息就会丢失。
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