IXFN72N55Q介绍：
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 IXYS
系列 HiPerFET??
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 550V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 72A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 8mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 258nC @ 10V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 10500pF @ 25V FET 功能 -
功率耗散（最大值） 890W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 72 毫欧 @ 500mA，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 底座安装
供应商器件封装 SOT-227B
封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC
比电子管可靠100倍，耐冲击、耐振动，这都是电子管所无法比拟的。另外，晶体管的体积只有电子管的十分之一到百分之一，放热很少，可用于设计小型、复杂、可靠的电路。晶体管的制造工艺虽然精密，但工序简便，有利于提高元器件的安装密度。