SGL60N90D介绍：
类别 分立半导体产品
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
制造商 ON SemIConductor
系列 -
零件状态 停產
IGBT 类型 沟道
电压 - 集射极击穿（最大值） 900V
电流 - 集电极（Ic）（最大值） 60A
脉冲电流 - 集电极 (Icm) 120A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 2.7V @ 15V，60A
功率 - 最大值 180W
输入类型 标准
栅极电荷 260nC
25°C 时 Td（开/关）值 -
测试条件 -
反向恢复时间（trr） 1.5μs
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-264-3，TO-264AA
供应商器件封装 TO-264
晶体管的低成本、灵活性和可靠性使得其成为非机械任务的通用器件，例如数字计算。在控制电器和机械方面，晶体管电路也正在取代电机设备，因为它通常是更便宜、更有效地，仅仅使用标准集成电路并编写计算机程序来完成同样的机械任务，使用电子控制，而不是设计一个等效的机械控制。