SGF23N60UFTU介绍：
类别 分立半导体产品
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
制造商 ON SemIConductor
系列 -
零件状态 在售
IGBT 类型 -
电压 - 集射极击穿（最大值） 600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值） 23A
脉冲电流 - 集电极 (Icm) 92A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 2.6V @ 15V，12A
功率 - 最大值 75W
输入类型 标准
25°C 时 Td（开/关）值 17ns/60ns
测试条件 300V，12A，23 欧姆，15V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
封装/外壳 SC-94
供应商器件封装 TO-3PF
基本零件编号 SG*23N60
早期MOSFET的栅极（gate electrode）使用金属作为其材料，但随著 半导体技术的进步，随后MOSFET栅极使用多晶硅取代了金属。在处理器中，多晶硅栅已经不是主流技术，从英特尔采用45纳米线宽的P1266处理器开始，栅极开始重新使用金属。
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