JANTXV2N6798介绍:
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商 MICrosemi Corporation
系列 军用,MIL-PRF-19500/557
包装 ? 散装 ?
零件状态 停產
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 200V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 42.07nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 800mW(Ta),25W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 420 毫欧 @ 5.5A,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-205AF(TO-39)
封装/外壳 TO-205AF 金属罐
晶体管是一种半导体器件,放大器或电控开关常用。晶体管是规范操作电脑,手机,和所有其他现代电子电路的基本构建块。