IRF9953TRPBF介绍：
描述 MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
制造商标准提前期 26 周
详细描述 Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 2.3A 2W Surface Mount 8-SO
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET?
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 在售
FET 类型 2 个 P 沟道（双）
FET 功能 标准
漏源电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.3A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 250 毫欧 @ 1A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 12nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 190pF @ 15V 功率 - 最大值 2W
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装 8-SO
基本零件编号 IRF9953PBF
晶体管的低成本，灵活性和可靠性使得其成为非机械任务的通用器件，例如数字计算。在控制电器和机械方面，晶体管电路也正在取代电机设备，因为它通常是更便宜，更有效地仅仅使用标准集成电路并编写计算机程序来完成同样的机械任务，使用电子控制，而不是设计一个等效的机械控制。
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