AOT482L介绍：

描述 MOSFET N-CH 80V 11A TO220

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

制造商标准提前期 20 周

详细描述 通孔 N 沟道 80V 11A（Ta），105A（Tc） 2.1W（Ta），333W（Tc） TO-220

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Alpha & Omega Semiconductor Inc.

系列 SDMOS??

包装 ? 管件 ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 80V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 11A（Ta），105A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 7V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.7V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 81nC @ 10V

Vgs（最大值） ±25V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4870pF @ 40V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 2.1W（Ta），333W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 7.2 毫欧 @ 20A，10V

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型 通孔

供应商器件封装 TO-220

封装/外壳 TO-220-3

由于积体电路芯片上的MOSFET为四端元件，所以除了栅极、源极、漏极外，尚有一基极（Bulk或是Body）。MOSFET电路符号中，从通道往右延伸的箭号方向则可表示此元件为n-type或是p-type的MOSFET。