FC8V33030L介绍：
描述 MOSFET 2N-CH 33V 6.5A WMINI8
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
制造商标准提前期 11 周
详细描述 Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 33V 6.5A 1W Surface Mount WMini8-F1
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
制造商 PanasonIC Electronic Components
系列 -
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 在售
FET 类型 2 个 N 沟道（双）
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压（Vdss） 33V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.5A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 20 毫欧 @ 3.3A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 480μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 3.8nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 10V 功率 - 最大值 1W
工作温度 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SMD，扁平引线
供应商器件封装 W迷你型8-F1
场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换.常用于多级放大器的输入级作阻抗变换.场效应管可以用作可变电阻.场效应管可以方便地用作恒流源.
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