IXFT36N50P介绍:
描述 MOSFET N-CH 500V 36A TO-268 D3
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
详细描述 表面贴装 N 沟道 500V 36A(Tc) 540W(Tc) TO-268
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商 IXYS
系列 HiPerFET?,PolarP2?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 500V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 36A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 4mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 93nC @ 10V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5500pF @ 25V FET 功能 -
功率耗散(最大值) 540W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 170 毫欧 @ 500mA,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 TO-268
封装/外壳 TO-268-3,D3Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA
MOSFET依照其"通道"(工作载流子)的极性不同,可分为"N型"与"P型" 的两种类型,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称尚包括NMOS、PMOS等。
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