FCP190N60介绍:
描述 MOSFET N-CH 600V TO220-3
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 52 周
详细描述 通孔 N 沟道 600V 20.2A(Tc) 208W(Tc) TO-220
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商 ON SemIConductor
系列 SuperFET? II
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20.2A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 74nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2950pF @ 25V FET 功能 -
功率耗散(最大值) 208W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 199 毫欧 @ 10A,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220
封装/外壳 TO-220-3
在模拟电路中,晶体管用于放大器、音频放大器、射频放大器、稳压电路;在计算机电源中,主要用于开关电源。
晶体管也应用于数字电路,主要功能是当成电子开关。数字电路包括逻辑门、随机存取内存(RAM)和微处理器。