PMDT290UCE,115介绍：
描述 MOSFET N/P-CH 20V SOT666
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
制造商标准提前期 13 周
详细描述 Mosfet Array N and P-Channel 20V 800mA, 550mA 500mW Surface Mount SOT-666
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
制造商 Nexperia USA Inc.
系列 汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS?
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 在售
FET 类型 N 和 P 沟道
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压（Vdss） 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 800mA，550mA
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 380 毫欧 @ 500mA，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 950mV @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 0.68nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 83pF @ 10V 功率 - 最大值 500mW
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SOT-563，SOT-666
晶体管在使用上有许多要注意的最大额定值，例如最大电压、最大电流、最大功率。在超额的状态下使用，晶体管内部的结构会被破坏。每种型号的晶体管还有特有的特性，像是直流放大率hfe、NF噪讯比等，可以借由晶体管规格表或是Data Sheet得知。
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