MT3S16U介绍：
描述 TRANS RF NPN 5V 1GHZ USM
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
详细描述 RF Transistor NPN 5V 60mA 4GHz 100mW Surface Mount USM
类别 分立半导体产品
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频
制造商 Toshiba SemIConductor and Storage
系列 -
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 在售
晶体管类型 NPN
电压 - 集射极击穿（最大值） 5V
频率 - 跃迁 4GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 2.4dB @ 1GHz
增益 4.5dBi
功率 - 最大值 100mW
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 80 @ 5mA，1V
电流 - 集电极（Ic）（最大值） 60mA
工作温度 125°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SC-70，SOT-323
供应商器件封装 USM
通常将特征频率fT小于或等于3MHZ的晶体管称为低频管，将fT大于或等于30MHZ的晶体管称为高频管，将fT大于3MHZ、小于30MHZ的晶体管称为中频管。