| 品牌 | TI | 型号 | CSD17577Q3A |
| 封装 | VSONP-8 | 极限电压 | 1.1 |
| 栅极-源极电压 | 10 | VQg-栅极电荷 | 27 |
| 极限电流 | 83 | 类型 | 绝缘栅型场效应管 |
| 沟道类型 | N沟道 | 导电方式 | 其他 |
CSD17577Q3A 晶体管MOS 代理直销?
制造商:Texas Instruments
产品种类:MOSFET
RoHS: 详细信息
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:VSONP-8
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:30
VId-连续漏极电流:83
ARds On-漏源导通电阻:4.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:1.1 VVgs - 栅极-源极电压:10 VQg-栅极电荷:27 nC
最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 150 C
配置:SinglePd-
功率耗散:53 W
通道模式:Enhancement
商标名:NexFET封装:Cut Tape
封装:Reel
高度:0.9 mm 长度:3.15 mm
系列:CSD17577Q3A
晶体管类型:1 N-Channel
宽度:3 mm
商标:Texas Instruments
正向跨导 - 最小值:76 S
下降时间:4 ns
产品类型:MOSFET 上升时间:31 ns 工
厂包装数量:2500
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:20 ns
典型接通延迟时间:4 ns
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以上是，CSD17577Q3A 晶体管MOS 代理直销?，品牌:TI 型号:CSD17577Q3A 封装:VSONP-8 极限电压:1.1 VVgs - 栅极-源极电压:10 VQg-栅极电荷:27 nC 极限电流:83 类型:绝缘栅型场效应管 沟道类型:N沟道 导电方式:其他的信息