SCT30N120介绍:
描述 MOSFET N-CH 1200V 45A HIP247
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
详细描述 通孔 N 沟道 1200V 40A(Tc) 270W(Tc) HiP247?
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商 STMICroelectronics
系列 -
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss) 1200V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 20V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 100 毫欧 @ 20A,20V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.6V @ 1mA(标准)
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 105nC @ 20V
Vgs(最大值) +25V,-10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1700pF @ 400V FET 功能 -
功率耗散(最大值) 270W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 200°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 HiP247?
封装/外壳 TO-247-3
具有输入电阻高(10^8~10^9Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者.