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晶体管 BSP52,115 双极 (BJT) - 单
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  • 发布日期: 2018年06月27日
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类型分立半导体产品  
BSP52,115介绍:
描述 TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
详细描述 Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80V 1A 200MHz 1.25W Surface Mount SOT-223
类别 分立半导体产品
晶体管 - 双极 (BJT) - 单
制造商 Nexperia USA Inc.
系列 汽车级,AEC-Q101
包装 ? 带卷(TR) ?
零件状态 在售
晶体管类型 NPN - 达林顿
电流 - 集电极(IC)(最大值) 1A
电压 - 集射极击穿(最大值) 80V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) 1.3V @ 500μA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值) 50nA
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 2000 @ 500mA,10V
功率 - 最大值 1.25W
频率 - 跃迁 200MHz
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA
供应商器件封装 SOT-223
基本零件编号 BSP52



在双极性晶体管中,射极到基极的很小的电流,会使得发射极到集电极之间,产生大电流;在场效应晶体管中,在栅极施加小电压,来控制源极和泄极之间的电流。
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