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晶体管 DMS935E10R 特殊用途
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  • 所 在 地: 广东 深圳市 宝安区
  • 发布日期: 2018年07月09日
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类型分立半导体产品  
DMS935E10R介绍:
描述 TRANS ARRAY NPN/CCD SSMINI6
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 11 周
详细描述 Transistor CCD Output Circuits NPN, N-Channel 20V NPN, 40V N-Channel 50mA NPN, 10mA N-Channel Surface Mount SSMini6-F3-B
Transistor CCD Output Circuits NPN, N-Channel 20V NPN, 40V N-Channel 50mA NPN, 10mA N-Channel Surface Mount SSMini6-F3-B
类别 分立半导体产品
晶体管 - 特殊用途
制造商 PanasonIC Electronic Components
系列 -
包装 ? 带卷(TR) ?
零件状态 在售
晶体管类型 NPN,N 通道
应用 CCD 输出电路
电压 - 额定 20V NPN,40V N 通道
额定电流 50mA NPN,10mA N 通道
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SOT-563,SOT-666
供应商器件封装 SSMini6-F3-B

电力晶体管按英文Giant Transistor直译为巨型晶体管,是一种耐高电压、大电流的双极结型晶体管(Bipolar Junction Transistor—BJT),所以有时也称为Power BJT;其特性有:耐压高,电流大,开关特性好,但驱动电路复杂,驱动功率大;GTR和普通双极结型晶体管的工作原理是一样的。

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