IRLU2905PBF介绍：
描述 MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK
详细描述 通孔 N 沟道 55V 42A（Tc） I-PAK
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 55V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 42A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 27 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 48nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1700pF @ 25V
FET 功能 -
安装类型 通孔
供应商器件封装 I-PAK
封装/外壳 TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
从目前的角度来看MOSFET的命名，事实上会让人得到错误的印象。因为MOSFET里代表“metal”的第一个字母M在当下大部分同类的元件里是不存在的。早期MOSFET的栅极（gate electrode）使用金属作为其材料
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