SI2301CDS-T1-GE3介绍：
描述 MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
制造商标准提前期 32 周
详细描述 表面贴装 P 沟道 20V 3.1A（Tc） 860mW（Ta），1.6W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Vishay SilIConix
系列 TrenchFET?
包装 带卷（TR）
零件状态 在售
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.1A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 112 毫欧 @ 2.8A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 10nC @ 4.5V
Vgs（最大值） ±8V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 405pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 860mW（Ta），1.6W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
晶体管在电路最常用的用途应该是属于信号放大这一方面，其次是阻抗匹配、信号转换等，晶体管在电路中是个很重要的元件，许多精密的组件主要都是由晶体管制成的。
威世品牌的产品代表了包括分立半导体、无源元件、集成模块、应力感应器和传感器等多种相互不依赖产品的集合。所有的这些品牌和产品都同属于一个全球制造商: 威世。
免责声明： 以上所展示的信息由企业自行提供，内容的真实性、准确性和合法性由发布企业负责。买卖IC网对此不承担任何保证责任。
以上是，晶体管 SI2301CDS-T1-GE3 MOSFET - 单，类型:分立半导体产品的信息