SI4477DY-T1-GE3介绍：
描述 MOSFET P-CH 20V 26.6A 8-SOIC
详细描述 表面贴装 P 沟道 20V 26.6A（Tc） 3W（Ta），6.6W（Tc） 8-SO
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET?
包装 带卷（TR）
零件状态 在售
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 26.6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 6.2 毫欧 @ 18A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 190nC @ 10V
Vgs（最大值） ±12V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4600pF @ 10V FET 功能 -
功率耗散（最大值） 3W（Ta），6.6W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 8-SO
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
无论多么优良的电子管，都将因阴极原子的变化和慢性漏气而逐渐劣化。由于技术上的原因，晶体管制作之初也存在同样的问题。随着材料制作上的进步以及多方面的改善，晶体管的寿命一般比电子管长100到1000倍，称得起永久性器件的美名。
在二十世纪五十年代，物理学家同时也是现任威世公司的主席和首席技术及业务拓展主管Felix Zandman博士获得了PhotoStress®涂层和仪表的专利。
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