ULN2066B介绍：
描述 TRANS 4NPN DARL 50V 1.75A 16DIP
制造商标准提前期 38 周
详细描述 Bipolar (BJT) Transistor Array 4 NPN Darlington (Quad) 50V 1.75A 1W Through Hole 16-PowerDIP (20x7.10)
类别 分立半导体产品
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列
制造商 STMICroelectronics
系列 -
零件状态 在售
晶体管类型 4 NPN 达林顿（双）
电流 - 集电极（Ic）（最大值） 1.75A
电压 - 集射极击穿（最大值） 50V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） 1.4V @ 2mA，1.25A
电流 - 集电极截止（最大值） -
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） -
功率 - 最大值 1W
频率 - 跃迁 -
工作温度 -20°C ~ 85°C（TA）
安装类型 通孔
封装/外壳 16-PowerDIP（0.300"，7.62mm）
供应商器件封装 16-PowerDIP（20x7.10）
晶体管在使用上有许多要注意的最大额定值，例如最大电压、最大电流、最大功率。在超额的状态下使用，晶体管内部的结构会被破坏。每种型号的晶体管还有特有的特性，像是直流放大率hfe、NF噪讯比等，可以借由晶体管规格表或是Data Sheet得知。
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