SI4116DY-T1-GE3介绍：
描述 MOSFET N-CH 25V 18A 8-SOIC
详细描述 表面贴装 N 沟道 25V 18A（Tc） 2.5W（Ta），5W（Tc） 8-SO
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET?
包装 带卷（TR）
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 25V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 8.6 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 56nC @ 10V
Vgs（最大值） ±12V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1925pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.5W（Ta），5W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 8-SO
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
晶体管在使用上有许多要注意的最大额定值，例如最大电压、最大电流、最大功率。在超额的状态下使用，晶体管内部的结构会被破坏。每种型号的晶体管还有特有的特性，像是直流放大率hfe、NF噪讯比等，可以借由晶体管规格表或是Data Sheet得知。
在2002年主要收购了BC元件(BCcomponents是以前飞利浦电子公司和贝士拉革(Beyschlag)公司生产无源元件的部门)，它是欧洲和亚洲领先的无源元件制造商，这个收购极大的增强了威世在无源元件方面的全球市场位置。
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