STT4P3LLH6介绍：
描述 MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-6
制造商标准提前期 38 周
详细描述 表面贴装 P 沟道 30V 4A（Ta） 1.6W（Ta） SOT-23-6
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 STMICroelectronics
系列 DeepGATE?，STripFET? H6
包装 带卷（TR）
零件状态 在售
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 56 毫欧 @ 2A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 6nC @ 4.5V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 639pF @ 25V FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.6W（Ta）
工作温度 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 SOT-23-6
封装/外壳 SOT-23-6
沟道的极性与其漏极（drain）与源极相同，假设漏极和源极是n型，那么沟道也会是n型。沟道形成后，金氧半场效晶体管即可让电流通过，而依据施于栅极的电压值不同，可由金氧半场效晶体管的沟道流过的电流大小亦会受其控制而改变。
公司自1994年起公开上市，意法半导体股票在纽约证券交易所(交易代码:STM)、泛欧巴黎证券交易所和意大利米兰证券交易所挂牌上市。
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