IRF7404TRPBF介绍:
描述 MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-SOIC
详细描述 表面贴装 P 沟道 20V 6.7A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET?
包装 带卷(TR)
零件状态 在售
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.7A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.7V,4.5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 40 毫欧 @ 3.2A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 700mV @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 50nC @ 4.5V
Vgs(最大值) ±12V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1500pF @ 15V FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 8-SO
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
晶体管在使用上有许多要注意的最大额定值,例如最大电压、最大电流、最大功率。在超额的状态下使用,晶体管内部的结构会被破坏。每种型号的晶体管还有特有的特性,像是直流放大率hfe、NF噪讯比等,可以借由晶体管规格表或是Data Sheet得知。
1998年Infineon公司是全球十大半导体制造商之一。该公司在全球亚、欧、美三大洲5个国家拥有10个制造工厂,在九个国家设有16个研发中心,1998年员工约25,000人,主要合作伙伴有Motorola、IBM、MoselVitelic等。
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