MMBT5551LT1G介绍：
描述 TRANS NPN 160V 0.6A SOT23
制造商标准提前期 36 周
详细描述 Bipolar (BJT) Transistor NPN 160V 600mA 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
类别 分立半导体产品
晶体管 - 双极 (BJT) - 单
制造商 ON SemIConductor
系列 -
包装 带卷（TR）
零件状态 在售
晶体管类型 NPN
电流 - 集电极（Ic）（最大值） 600mA
电压 - 集射极击穿（最大值） 160V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） 200mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值） 100nA
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 80 @ 10mA，5V
功率 - 最大值 225mW
频率 - 跃迁 -
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23-3（TO-236）
基本零件编号 MMBT5551
晶体管在使用上有许多要注意的最大额定值，例如最大电压、最大电流、最大功率。在超额的状态下使用，晶体管内部的结构会被破坏。每种型号的晶体管还有特有的特性，像是直流放大率hfe、NF噪讯比等，可以借由晶体管规格表或是Data Sheet得知。
公司的全球总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯，并在北美、欧洲和亚太地区等关键市场运营包括制造厂、销售办事处和设计中心的强大网络。
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