FDS6912A介绍：
描述 MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
制造商标准提前期 6 周
详细描述 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 30V 6A 900mW 表面贴装 8-SO
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
制造商 ON Semiconductor
系列 PowerTrench?
包装 带卷（TR）
零件状态 在售
FET 类型 2 个 N 沟道（双）
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 28 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 8.1nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 575pF @ 15V 功率 - 最大值 900mW
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装 8-SO
晶体管(transistor)是一种固体半导体器件，具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压控制输出电流。
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