FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 63 毫欧 @ 3.4A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.1V @ 10μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 2.9nC @ 4.5V
Vgs（最大值） ±12V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 270pF @ 24V FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.3W（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）