HN2S02JE介绍：
描述 DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V ESV
详细描述 Diode Array 2 Independent Schottky 40V 100mA Surface Mount SOT-553
类别 分立半导体产品
制造商 Toshiba SemIConductor and Storage
系列 -
包装 带卷（TR）
零件状态 在售
二极管配置 2 个独立式
二极管类型 肖特基
电压 - DC 反向（Vr）（最大值） 40V
电流 - 平均整流（Io）（每二极管） 100mA
不同 If 时的电压 - 正向（Vf 600mV @ 100mA
速度 小信号 =< 200mA（Io），任意速度
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 5μA @ 40V
工作温度 - 结 125°C（最大）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SOT-553
供应商器件封装 ESV
反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，破坏了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。
东芝（TOSHIBA）是日本最大的半导体制造商，亦是第二大综合电机制造商，隶属于三井集团旗下。东芝原名东京芝浦电气株式会社，1939年由株式会社芝浦制作所和东京电气株式会社合并而成；从1875年开创至今，已经走过了140年的漫长历程。