FDMA510PZ介绍：

描述 MOSFET P-CH 20V 7.8A 6-MICROFET

制造商标准提前期 18 周

详细描述 表面贴装 P 沟道 20V 7.8A（Ta） 2.4W（Ta） 6-MicroFET（2x2）

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 ON Semiconductor

系列 PowerTrench?

包装    带卷（TR） 

零件状态 在售

FET 类型 P 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.8A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.5V，4.5V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 30 毫欧 @ 7.8A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 27nC @ 4.5V

Vgs（最大值） ±8V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1480pF @ 10V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 2.4W（Ta）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 6-MicroFET（2x2）

封装/外壳 6-VDFN 裸露焊盘

晶体管在电路最常用的用途应该是属于信号放大这一方面，其次是阻抗匹配、信号转换等，晶体管在电路中是个很重要的元件，许多精密的组件主要都是由晶体管制成的。

安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号:ONNN)是应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商。公司的产品系列包括电源和信号管理、逻辑、分立及定制器件